間接帶隙半導體的物理知識點

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　　間接帶隙半導體（indirectbandgapsemiconductor）

　　間接帶隙半導體(indirectbandgapsemiconductor)

　　指Ge、Si和部分Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，價帶頂位于K空間原點，而導帶底并不在K空間的原點。因此，間接帶隙半導體中電子不僅吸收光子還與晶格交換能量，發生非直接躍遷。伴隨發射或吸收適當的聲子，電子的波矢K可以改變。GaP是間接帶隙半導體，其發光也是間接躍遷產生的。但如果將GaP和GaAs混合制成GaAs1-xPx晶體，則可調節x(0

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