半導體微電子專業英語單詞

　　對于英語的學習來說，單詞是重要的一部分，考生們必須認真背誦一些英語常用單詞。下面是小編為大家送上的一些英語常用單詞，希望對大家有所幫助。

　　1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)

　　2. acceptor: 受主，如B，摻入Si中需要接受電子

　　3. ACCESS：一個EDA（Engineering Data Analysis）系統

　　4. Acid：酸

　　5. Active device：有源器件，如MOS FET（非線性，可以對信號放大）

　　6. Align mark(key)：對位標記

　　7. Alloy：合金

　　8. Aluminum：鋁

　　9. Ammonia：氨水

　　10. Ammonium fluoride：NH4F

　　11. Ammonium hydroxide：NH4OH

　　12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）

　　13. Analog：模擬的

　　14. Angstrom：A（1E-10m）埃

　　15. Anisotropic：各向異性（如POLY ETCH）

　　16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受質量標準，在一定采樣下，可以95%置信度通過質量標準（不同于可靠性，可靠性要求一定時間后的失效率）

　　17. ARC(Antireflective coating)：抗反射層（用于METAL等層的光刻）

　　18. Antimony(Sb)銻

　　19. Argon(Ar)氬

　　20. Arsenic(As)砷

　　21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷

　　22. Arsine(AsH3)

　　23. Asher：去膠機

　　24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、寬度比）

　　25. Autodoping：自攙雜（外延時SUB的濃度高，導致有雜質蒸發到環境中后，又回摻到外延層）

　　26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM測試前）

　　27. Baseline：標準流程

　　28. Benchmark：基準

　　29. Bipolar：雙極

　　30. Boat：擴散用（石英）舟

　　31. CD： （Critical Dimension）臨界（關鍵）尺寸。在工藝上通常指條寬，例如POLY CD 為多晶條寬。

　　32. Character window：特征窗口。用文字或數字描述的包含工藝所有特性的一個方形區域。

　　33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化學機械拋光法。一種去掉圓片表面某種物質的方法。

　　34. Chemical vapor deposition（CVD）：化學汽相淀積。一種通過化學反應生成一層薄膜的工藝。

　　35. Chip：碎片或芯片。

　　36. CIM：computer-integrated manufacturing的縮寫。用計算機控制和監控制造工藝的一種綜合方式。

　　37. Circuit design ：電路設計。一種將各種元器件連接起來實現一定功能的技術。

　　38. Cleanroom：一種在溫度，濕度和潔凈度方面都需要滿足某些特殊要求的特定區域。

　　39. Compensation doping：補償摻雜。向P型半導體摻入施主雜質或向N型摻入受主雜質。

　　40. CMOS：complementary metal oxide semiconductor的縮寫。一種將PMOS和NMOS在同一個硅襯底上混合制造的工藝。

　　41. Computer-aided design（CAD）：計算機輔助設計。

　　42. Conductivity type：傳導類型，由多數載流子決定。在N型材料中多數載流子是電子，在P型材料中多數載流子是空穴。

　　43. Contact：孔。在工藝中通常指孔1，即連接鋁和硅的孔。

　　44. Control chart：控制圖。一種用統計數據描述的可以代表工藝某種性質的曲線圖表。

　　45. Correlation：相關性。

　　46. Cp：工藝能力，詳見process capability。

　　47. Cpk：工藝能力指數，詳見process capability index。

　　48. Cycle time：圓片做完某段工藝或設定工藝段所需要的時間。通常用來衡量流通速度的快慢。

　　49. Damage：損傷。對于單晶體來說，有時晶格缺陷在表面處理后形成無法修復的變形也可以叫做損傷。

　　50. Defect density：缺陷密度。單位面積內的缺陷數。

　　51. Depletion implant：耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。（耗盡晶體管指在柵壓為零的情況下有電流流過的晶體管。）

　　52. Depletion layer：耗盡層。可動載流子密度遠低于施主和受主的固定電荷密度的區域。

　　53. Depletion width：耗盡寬度。53中提到的耗盡層這個區域的寬度。

　　54. Deposition：淀積。一種在圓片上淀積一定厚度的且不和下面層次發生化學反應的薄膜的一種方法。

　　55. Depth of focus（DOF）：焦深。

　　56. design of experiments (DOE)：為了達到費用最小化、降低試驗錯誤、以及保證數據結果的統計合理性等目的，所設計的初始工程批試驗計劃。

　　57. develop：顯影（通過化學處理除去曝光區域的光刻膠，形成所需圖形的過程）

　　58. developer：Ⅰ）顯影設備； Ⅱ）顯影液

　　59. diborane (B2H6)：乙硼烷，一種無色、易揮發、有毒的可燃氣體，常用來作為半導體生產中的硼源

　　60. dichloromethane (CH2CL2)：二氯甲，一種無色，不可燃，不可爆的液體。

　　61. dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一種可燃，有腐蝕性，無色，在潮濕環境下易水解的物質，常用于硅外延或多晶硅的成長，以及用在沉積二氧化硅、氮化硅時的化學氣氛中。

　　62. die：硅片中一個很小的單位，包括了設計完整的單個芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區域。

　　63. dielectric：Ⅰ）介質，一種絕緣材料； Ⅱ）用于陶瓷或塑料封裝的表面材料，可以提供電絕緣功能。

　　64. diffused layer：擴散層，即雜質離子通過固態擴散進入單晶硅中，在臨近硅表面的區域形成與襯底材料反型的雜質離子層。

　　65. disilane (Si2H6)：乙硅烷，一種無色、無腐蝕性、極易燃的氣體，燃燒時能產生高火焰，暴露在空氣中會自燃。在生產光電單元時，乙硅烷常用于沉積多晶硅薄膜。

　　66. drive-in：推阱，指運用高溫過程使雜質在硅片中分布擴散。

　　67. dry etch：干刻，指采用反應氣體或電離氣體除去硅片某一層次中未受保護區域的混合了物理腐蝕及化學腐蝕的工藝過程。

　　68. effective layer thickness：有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規定范圍內的硅錠前端的深度。

　　69. EM：electromigration，電子遷移，指由通過鋁條的電流導致電子沿鋁條連線進行的自擴散過程。

　　70. epitaxial layer：外延層。半導體技術中，在決定晶向的基質襯底上生長一層單晶半導 體材料，這一單晶半導體層即為外延層。

　　71. equipment downtime：設備狀態異常以及不能完成預定功能的時間。

　　72. etch：腐蝕，運用物理或化學方法有選擇的去除不需的區域。

　　73. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他輻射材料照射的過程。

　　74. fab：常指半導體生產的制造工廠。

　　75. feature size：特征尺寸，指單個圖形的最小物理尺寸。

　　76. field-effect transistor（FET）：場效應管。包含源、漏、柵、襯四端，由源經柵到漏的多子流驅動而工作，多子流由柵下的橫向電場控制。

　　77. film：薄膜，圓片上的一層或多層迭加的物質。

　　78. flat：平邊

　　79. flatband capacitanse：平帶電容

　　80. flatband voltage：平帶電壓

　　81. flow coefficicent：流動系數

　　82. flow velocity：流速計

　　83. flow volume：流量計

　　84. flux：單位時間內流過給定面積的顆粒數

　　85. forbidden energy gap：禁帶

　　86. four-point probe：四點探針臺

　　87. functional area：功能區

　　88. gate oxide：柵氧

　　89. glass transition temperature：玻璃態轉換溫度

　　90. gowning：凈化服

　　91. gray area：灰區

　　92. grazing incidence interferometer：切線入射干涉儀

　　93. hard ：后烘

　　94. heteroepitaxy：單晶長在不同材料的襯底上的外延方法

　　95. high-current implanter：束電流大于3ma的注入方式，用于批量生產

　　96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空氣顆粒過濾器，去掉99.97%的大于0.3um的顆粒

　　97. host：主機

　　98. hot carriers：熱載流子

　　99. hydrophilic：親水性

　　100. hydrophobic：疏水性

　　101. impurity：雜質

　　102. inductive coupled plasma(ICP)：感應等離子體

　　103. inert gas：惰性氣體

　　104. initial oxide：一氧

　　105. insulator：絕緣

　　106. isolated line：隔離線

　　107. implant : 注入

　　108. impurity n : 摻雜

　　109. junction : 結

　　110. junction spiking n :鋁穿刺

　　111. kerf :劃片槽

　　112. landing pad n AD

　　113. lithography n 制版

　　114. maintainability, equipment : 設備產能

　　115. maintenance n :保養

　　116. majority carrier n :多數載流子

　　117. masks, device series of n : 一成套光刻版

　　118. material n :原料

　　119. matrix n 1 :矩陣

　　120. mean n : 平均值

　　121. measured leak rate n :測得漏率

　　122. median n :中間值

　　123. memory n : 記憶體

　　124. metal n :金屬

　　125. nanometer (nm) n ：納米

　　126. nanosecond (ns) n ：納秒

　　127. nitride etch n ：氮化物刻蝕

　　128. nitrogen (N2 ) n： 氮氣，一種雙原子氣體

　　129. n-type adj ：n型

　　130. ohms per square n：歐姆每平方: 方塊電阻

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